Kit of 2 что значит

kit of 2 что значит

Ответ от Evgenij Kharchenko[эксперт]
прав и не прав одновременно, или написал не полностью, kit обозначает то, что во время производства ОЗУ часть партии упаковывается по 1 планке в упаковку, вторая чась партии прогоняется на стенде для точной проверки частот и таймингов для работы в режиме dual. Этот режим позволяет перейти ОЗУ в работу в 2 раза более эффективную, так как шина из 64 битного разряда переходит в 128 битный разряд, в следствии чего в 2 раза увеличивается пропускная способность ОЗУ. Я бы рекомендовал обратить внимание на память фирмы OCZ.
то что ты написал может обозначать 2 варианта
либо в ките 2 планки по 512 метров
либо в ките 2 планки по 1024 метра
судя по цене я склонен подозревать 2 вариант — 2 планки по 1024 метра

Kingston Part Number Decoder

Learn how to read Kingston® memory part numbers including Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 and DDR memory product lines to help you identify modules by specification.

Kingston FURY™ DDR5

The following information is designed to help you identify Kingston FURY memory modules by specification.

Part Number: KF556C38BBE2AK2-32

KF – Kingston FURY

5 – DDR5

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200

C – UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
R – EC8 RDIMM (x80)

32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B – Black
S – Silver
W – White

Blank — Intel XMP / Plug N Play
E — AMD EXPO

Blank — 1st Revision
2 — 2nd Revision
3 — 3rd Revision

Blank – Non-RGB
A – RGB

Blank – Single Module
K2 – Kit of 2 Modules
K4 – Kit of 4 Modules
K8 – Kit of 8 Modules

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB
256 – 256GB

Kingston Server Premier DDR5

The following information is designed to help you identify Kingston Server Premier Memory Modules by Specification.

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

KSM — Kingston Server Premier

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

E – EC4 UDIMM (x72)
L – EC8 LRDIMM (x80)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
T – EC4 SODIMM (x72)

40B – CL40-39-39
42 – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

S – Single
D – Dual
Q – Quad

4 – x4
8 – x8

I – Renesas
K – RichTek
M – Montage
P – MPS
T – TI

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus

16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A – A Die
C – C Die
E – E Die
M – M Die

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR5

Part number: KVR48U40BS8K2-32X

KVR – Kingston ValueRAM

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000

U – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SO-DIMM (Non-ECC Unbuffered)

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46

S – Single Rank
D – Dual Rank

8 – x8
6 – x16

Blank – Single module
K2 – Kit of 2 modules
K4 – Kit of 4 modules

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB
256 – 256GB

Blank – Standard Pack
BK – Bulk pack

Kingston FURY™ DDR4/DDR3 Part Number Decoder

The following information is designed to help you identify Kingston FURY memory modules by specification.

Part number: KF432C16BB1AK4/64

KF — Kingston FURY

3 — DDR3
4 — DDR4

16 — 1600 (1.5V)
16L — 1600 (1.35V)
18 — 1866 (1.5V)
18L — 1866 (1.35V)
26 — 2666
32 — 3200
36 — 3600
37 — 3733
40 — 4000
42 — 4266
46 — 4600
48 — 4800
50 — 5000
51 — 5133
53 — 5333

C — UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S — SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

9 — CL9
10 — CL10
11 — CL11
13 — CL13
15 — CL15
16 — CL16
17 — CL17
18 — CL18
19 — CL19
20 — CL20

B — Beast
R — Renegade
I — Impact

Blank — Blue
B — Black
R — Red
W — White

Blank — 1 st revision
1 — 16GB module(s) with 1Gx8 (8Gbit) components
2 — 2 nd revision
3 — 3 rd revision
4 — 4th Revision

Blank — Non-RGB
A — RGB

Blank – Single module
K2 — Kit of 2 modules
K4 — Kit of 4 modules
K8 — Kit of 8 modules

4 — 4GB
8 — 8GB
16 — 16GB
32 — 32GB
64 — 64GB
128 — 128GB
256 — 256GB

Kingston Server Premier DDR4

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Part Number: KSM26RD4L/32HAI

KSM – Kingston Server Premier

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

E – Unbuffered DIMM (ECC)
R – Registered DIMM
L – Load Reduced DIMM
SE – Unbuffered SODIMM (ECC)

S – Single
D – Dual
Q – Quad

4 — x4
8 — x8

L — Very Low Profile DIMM

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB
256 – 256GB

H — SK Hynix
M — Micron

A – A Die
B – B Die
E – E Die

I – IDT
M – Montage
R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR4

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Part Number: KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR — Kingston ValueRAM

21 — 2133
24 — 2400
26 — 2666
29 — 2933
32 — 3200

blank – 1.2V
L — TBD

E — Unbuffered DIMM (ECC) w/Thermal Sensor
L — Load-Reduced DIMM (LRDIMM)
N — Unbuffered DIMM (non-ECC)
R — Registered DIMM with Address/Command Parity Function w/Thermal Sensor
S — SO-DIMM, Unbuffered (Non-Ecc)

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

S – Single Rank
D – Dual Rank
Q – Quad Rank
O – Octal Rank

4 – x4
8 – x8
6 – x16

blank — any height
H – 31.25mm
L – 18.75mm (VLP)

blank – Single Module
K2 – Kit of Two Modules
K3 – Kit of Three Modules

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H — SK Hynix
K — Kingston
M — Micron
S — Samsung

B – Revision

I — Intel Certified

Kingston design-in DRAM modules DDR5

Part number: CBD48S40BD8MA-32

CBD – Kingston design-in DRAM module

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

U – Unbuffered DIMM (non-ECC)
S – SODIMM, unbuffered (non-ECC)

40B – CL40-39-39
42 – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

S – Single rank
D – Dual rank

8 – x8
6 – x16

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A – A die
B – B die
M – M die

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

Kingston design-in DRAM modules DDR4

Part number: CBD26D4U9D8HJV-16

CBD – Kingston design-in DRAM module

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 – DDR4

U – Unbuffered DIMM (non-ECC)
S – SODIMM, unbuffered (non-ECC)

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

S – Single rank
D – Dual rank

8 – x8
1 – x16

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
N – Nanya
S – Samsung

A – A die
B – B die
C – C die
D – D die
E – E die
F – F die
H – H die
J – J die
R – R die

Black – Flash gold
H – Hard gold
V – Very low profile

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

Kingston design-in DRAM modules DDR3

Part number: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD – Kingston design-in DRAM module

16 – 1600

D3 – DDR3 (1.5V)
D3L – DDR3L (1.35V / 1.5V)

Blank – x8
F – x16

U – Unbuffered DIMM (non-ECC)
S – SODIMM, unbuffered (non-ECC)

1 – CL11-11-11

K – Kingston
S – Samsung

B – B die
D – D die
E – E die

L – Very low profile
G – Green (RoHS compliant)
H – Hard gold

2G – 2 GB
4G – 4 GB
8G – 8 GB

HyperX® Part Number Decoder

The following information is designed to help you identify Kingston HyperX memory modules by specification.

Part number: HX429C15PB3AK4/32

HX — HyperX (Legacy)

3 — DDR3
4 — DDR4

13 — 1333
16 — 1600
18 — 1866
21 — 2133
24 — 2400
26 — 2666
28 — 2800
29 — 2933
30 — 3000
32 — 3200
33 — 3333
34 — 3466
36 — 3600
37 — 3733
40 — 4000
41 — 4133
42 — 4266
46 — 4600
48 — 4800
50 — 5000
51 — 5133
53 — 5333

C — UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S — SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

9 — CL9
10 — CL10
11 — CL11
12 — CL12
13 — CL13
14 — CL14
15 — CL15
16 — CL16
17 — CL17
18 — CL18
19 — CL19
20 — CL20

F — FURY
B — Beast
S — Savage
P — Predator
I — Impact

Blank — Blue
B — Black
R — Red
W — White

2 — 2 nd revision
3 — 3 rd revision
4 — 4 th revision

Blank — Non-RGB
A — RGB

Blank – Single module
K2 — Kit of 2 modules
K4 — Kit of 4 modules
K8 — Kit of 8 modules

4 — 4GB
8 — 8GB
16 — 16GB
32 — 32GB
64 — 64GB
128 — 128GB
256 — 256GB

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

How to Read ValueRAM Part Numbers

Example:
New Part Schema: KVR 16 R11 D4 / 8
Previous Part Schema: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

New Part Schema applicable to parts released after May 1, 2012.

Part Number: KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR — Kingston ValueRAM

16 — 1600
13 — 1333
10 — 1066

blank — 1.5V
L — 1.35V
U — 1.25V

E — Unbuffered DIMM (ECC)
N — Unbuffered DIMM (non-ECC)
R — Registered DIMM
L — Load-Reduced DIMM
S — SO-DIMM

11 — CAS Latency

S — Single Rank
D — Dual Rank
Q — Quad Rank

4 — x4 DRAM chip
8 — x8 DRAM chip

L — 18.75mm (VLP)
H — 30mm

K2 — Kit of Two Modules
K3 — Kit of Three Modules
K4 — Kit of Four Modules

4 — 4GB
8 — 8GB
12 — 12GB
16 — 16GB
24 — 24GB
32 — 32GB
48 — 48GB
64 — 64GB

H — Hynix
E — Elpida
I — Intel Certified

B — Die Revision

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Part Number: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR — Kingston ValueRAM

1066 — Speed

D2 — DDR2
D3 — DDR3

blank — 1.5V
L — 1.35V
U — 1.25V

S — Single Rank
D — Dual Rank
Q — Quad Rank

4 — x4 DRAM chip
8 — x8 DRAM chip

P — Parity on Register (for registered modules only)
E — Unbuffered DIMM (ECC)
F — FB DIMM
M — Mini-DIMM
N — Unbuffered DIMM (non-ECC)
R — Registered DIMM with Address/Command Parity Function
S — SO-DIMM
U — Micro-DIMM

7: CAS Latency

blank – Without Thermal Sensor
S – With Thermal Sensor

blank – Any height
L – 18.75mm (VLP)
H – 30mm

blank – Single Module
K2 – Kit of Two Modules
K3 – Kit of Three Modules

4G: Capacity

H: DRAM MFGR

B: Revision

(PC2100, PC2700, PC3200)

Part Number: KVR400X72RC3AK2/1G

KVR — Kingston ValueRAM

X72 — X72 ECC

R — Registered

C3 — CAS Latency

A — DDR400 3-3-3

K2 — Kit of Two Modules

1G — Capacity

Latency timing

The information below will help illustrate the various settings that can be adjusted when setting the memory timings in the motherboard BIOS for optimum performance. Please note that these settings may vary depending on motherboard make/model or BIOS firmware version.

Sample

CAS Latency (CL): Delay between activation of a row and the reading of that row.

RAS to CAS or RAS to Column Delay (tRCD): Activates the row

Row Precharge Delay or RAS Precharge Delay (tRP/tRCP): Deactivates the row

Row Active Delay or RAS Active Delay or time to ready (tRA/tRD/tRAS): Number of clock cycles between activation/deactivation of row.

Disclaimer: All Kingston products are tested to meet our published specifications. Some systems or motherboard configurations may not operate at the published Kingston memory speeds and timing settings. Kingston does not recommend that users attempt to run their computers faster than the published speed. Overclocking or modifying your system timing may result in damage to computer components.

* Learn More about megatransfers per second — MT/s denotes megatransfers (million transfers) per second and represents the effective data rate (speed) of DDR (Double Data Rate) SDRAM memory in computing. A DDR SDRAM memory module transfers data on the rise and fall of every clock cycle (1 Hz).

Ex: DDR4-3200 (PC4-3200)
Clock Rate: 1600MHz
Data Rate: 3200MT/s
Bandwidth: 25,600 MB/s (25.6 GB/s)

Модули озу

Модули оперативной памяти изготавливаются на основе прямоугольных печатных плат с односторонним или двухсторонним расположением микросхем. Они отличаются формфактором и имеют различную конструкцию: SIMM (Single In-line Memory Module — модуль памяти с однорядными контактами); DIMM (Dual In-line Memory Module — модуль памяти с двухрядными контактами); SO DIMM (Small Outline DIMM — малый размер DIMM). Контакты разъемов модулей памяти покрывают золотом или сплавом никеля и палладия.

Модули SIMM представляет собой плату с плоскими контактами вдоль одной стороны; в разъем материнской платы их устанавливают под углом с последующим поворотом в рабочее (вертикальное) положение с помощью защелок. Существуют два типа модулей SIMM: 30-контактные с разрядностью 9 бит (8 бит данных и 1 бит контроля четности); 72-контактные с разрядностью 32 бит (без контроля) или 36 бит (с контролем четности). Поэтому для 32-битной шины требовалось использовать четыре банка 30-контактных модулей SIMM или один 72-контактный модуль; для 64-разрядной шины — два банка 72-контактных модулей.

Модули DIMM бывают двух типов: 168-контактные (для установки микросхем SDRAM) и 184-контактные DIMM (для микросхем DDR SDRAM). Они одинаковы по установочным размерам, вставляются в разъем системной платы вертикально и фиксируются защелками. В переходный период материнские платы оснащались разъемами для обоих типов DIMM-модулей, но в настоящее время в ПЭВМ модули SIMM и 168-контактные DIMM устарели и не используются.

Модули SO DIMM с 72- и 144-контактными разъемами применяются в портативных ПЭВМ. В материнскую плату их устанавливают аналогично модулям SIMM.

В настоящее время наиболее востребованы модули DIMM с микросхемами DDR SDRAM, DDR2 SDRAM и DDR3 SDRAM.

Модули DIMM на основе микросхем DDR SDRAM выпускаются со 184 контактами (рис. 1).

Рис. 1. Плата 184-контактного модуля DIMM:

1 — микросхемы DDR SDRAM; 2 — микросхема буферной памяти и контроля ошибок; 3 — вырезы для крепления платы; 4 — ключ; 5 — разъем

Ключом на модуле памяти является вырез в плате, который в сочетании с соответствующим выступом в разъеме системной платы не позволяет установить модуль не той стороной. Кроме того, ключ у несовместимых модулей ОЗУ может иметь разное размещение (сдвигаться между контактами в одну или другую сторону), указывая номинал напряжения питания (2,5 или 1,8 В) и защищая от электрического повреждения.

Микросхемы памяти типа DDR2, DDR3, приходящие на смену DDR, производятся в виде 240-контактных модулей DIMM.

Современные модули памяти для ПЭВМ поставляются в вариантах 512 Мбайт, 1,2 и 4 Гбайт.

На момент написания этой статьи на рынке доминируют модули памяти DDR третьего поколения или DDR3. Память типа DDR3 имеет более высокие тактовые частоты (до 2400 мегагерц), пониженное примерно на 30-40% (по сравнению с DDR2) энергопотребление и соответственно меньшее тепловыделение.

Однако, до сих пор, можно встретить память стандарта DDR2 и морально устаревшую (а потому местами жутко дорогую) DDR1. Все эти три типа полностью несовместимы друг с другом как по электрическим параметрам (у DDR3 меньше напряжение), так и физическим (смотрите изображение).

Необходимый и достаточный объем оперативной памяти зависит от операционной системы и прикладных программ, определяющих целевое использование ПЭВМ. Если вы планируете использовать компьютер в офисных или «мультимедийных» целях (Интернет, работа с офисными приложениями, прослушивание музыки и др.) — вам хватит 1024 Мб памяти (1 Гб). Для требовательных компьютерных игр, работы с видео, звукозаписи и сведения музыкальных композиций в домаших условиях – минимум 2 Гб (2048 Мб) ОЗУ. Желательно — 3 гигабайта. Следует также отметить, что 32-битные версии (x86) Windows не поддерживают объём оперативной памяти свыше 3 гигабайт. Также отметим, что операционные системы Windows Vista и Windows 7 для комфортной работы с ними требуют как минимум 1 Гб оперативной памяти, а при включении всех графических эффектов — до 1.5 гигабайт.

Характеристики и маркировка оперативной памяти

4096Mb (2x2048Mb) DIMM DDR2 PC2-8500 Corsair XMS2 C5 [TWIN2X4096-8500C5] BOX

1024Mb SO-DIMM DDR2 PC6400 OCZ OCZ2M8001G (5-5-5-15) Retail

Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это — 4 ГБ, а во втором — 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 — набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.

DIMM/SO-DIMM — это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.

Тип памяти — это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти — производительность, частоту, напряжение питание и др.

Частоты передачи данных для типов памяти:

DDR2: 533-1200 МГц

DDR3: 800-2400 МГц

Цифра, указываемая после типа памяти — и есть частота: DDR400, DDR2-800.

Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.

Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.

Однако, есть еще факторы, такие как количество каналов памяти, разрядность шины памяти. Они также влияют на производительность подсистем памяти.

Характеристики и маркировка оперативной памяти

Как известно, оперативная память вкладывает большую составляющую в производительность компьютера. И понятно, что пользователи стараются увеличить объем оперативной памяти по максимуму.
Если года 2-3 назад на рынке было буквально несколько типов модулей памяти, то сейчас их значительно больше. И разобраться в них стало сложнее.

В этой статье мы рассмотрим различные обозначения в маркировке модулей памяти, чтобы вам проще в них было ориентироваться.

Для начала введем ряд терминов, котоыре нам понадобятся для понимания статьи:

планка («плашка») — модуль памяти, печатная плата с микросхемами памяти на борту, устанавливаемая в слот памяти;
односторонняя планка — планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с 1 стороны модуля.
двухсторонняя планка — планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с обоих сторон модуля.
RAM (Random Access Memory, ОЗУ) — память с произвольным доступом, проще говоря — оперативная память. Это энергозависимая память, содержимое которой теряется при отсутствии питания.
SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) — синхронная динамическая оперативная память: все современные модули памяти имеют именно такое устройство, то есть требуют постоянной синхронизации и обновления содержимого.

4096Mb (2x2048Mb) DIMM DDR2 PC2-8500 Corsair XMS2 C5 [TWIN2X4096-8500C5] BOX
1024Mb SO-DIMM DDR2 PC6400 OCZ OCZ2M8001G (5-5-5-15) Retail

Объем

Тип корпуса

DIMM/SO-DIMM — это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.
DIMM (Dual In-line Memory Module) — модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.

В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).

Тип памяти

На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 — самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.

Частоты передачи данных для типов памяти:

DDR: 200-400 МГц
DDR2: 533-1200 МГц
DDR3: 800-2400 МГц

Цифра, указываемая после типа памяти — и есть частота: DDR400, DDR2-800.

Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)

Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).

Стандарт скорости модуля памяти

В обозначении для облегчения понимания скорости модуля указывается и стандарт пропускной способности памяти. Он как раз и показывает, какую пропускную способность имеет модуль.

Все эти стандарты начинаются с букв PC и далее идут цифры, указывающие пропускную способность памяти в Мбайтах в секунду.

Название модуля	Частота шины	Тип чипа	Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200	200 МГц	DDR2-400	3200 МБ/с или 3.2 ГБ/с
PC2-4200	266 МГц	DDR2-533	4200 МБ/с или 4.2 ГБ/с
PC2-5300	333 МГц	DDR2-667	5300 МБ/с или 5.3 ГБ/с 1
PC2-5400	337 МГц	DDR2-675	5400 МБ/с или 5.4 ГБ/с
PC2-5600	350 МГц	DDR2-700	5600 МБ/с или 5.6 ГБ/с
PC2-5700	355 МГц	DDR2-711	5700 МБ/с или 5.7 ГБ/с
PC2-6000	375 МГц	DDR2-750	6000 МБ/с или 6.0 ГБ/с
PC2-6400	400 МГц	DDR2-800	6400 МБ/с или 6.4 ГБ/с
PC2-7100	444 МГц	DDR2-888	7100 МБ/с или 7.1 ГБ/с
PC2-7200	450 МГц	DDR2-900	7200 МБ/с или 7.2 ГБ/с
PC2-8000	500 МГц	DDR2-1000	8000 МБ/с или 8.0 ГБ/с
PC2-8500	533 МГц	DDR2-1066	8500 МБ/с или 8.5 ГБ/с
PC2-9200	575 МГц	DDR2-1150	9200 МБ/с или 9.2 ГБ/с
PC2-9600	600 МГц	DDR2-1200	9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с

Тип памяти	Частота памяти	Время цикла	Частота шины	Передач данных в секунду	Название стандарта	Пиковая скорость передачи данных
DDR3-800	100 МГц	10.00 нс	400 МГц	800 млн	PC3-6400	6400 МБ/с
DDR3-1066	133 МГц	7.50 нс	533 МГц	1066 млн	PC3-8500	8533 МБ/с
DDR3-1333	166 МГц	6.00 нс	667 МГц	1333 млн	PC3-10600	10667 МБ/с
DDR3-1600	200 МГц	5.00 нс	800 МГц	1600 млн	PC3-12800	12800 МБ/с
DDR3-1800	225 МГц	4.44 нс	900 МГц	1800 млн	PC3-14400	14400 МБ/с
DDR3-2000	250 МГц	4.00 нс	1000 МГц	2000 млн	PC3-16000	16000 МБ/с
DDR3-2133	266 МГц	3.75 нс	1066 МГц	2133 млн	PC3-17000	17066 МБ/с
DDR3-2400	300 МГц	3.33 нс	1200 МГц	2400 млн	PC3-19200	19200 МБ/с

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.

Производитель и его part number

Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) — номер детали.

Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:

Kingston KVR800D2N6/1G
OCZ OCZ2M8001G
Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.
Модули Kingston семейства ValueRAM:

Модули Kingston семейства HyperX (с дополнительным пассивным охлаждением для разгона):

По маркировке OCZ можно понять, что это модуль DDR2 объемом 1 Гбайт, частотой 800 МГц.

По маркировке CM2X1024-6400C5 понятно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.

Некоторые производители вместо частоты или стандарта памяти указывают время в нс доступа к чипу памяти. По этому времени можно понять, какая используется частота.
Так поступает Micron: MT47H128M16HG-3. Цифра в конце обозначает, что время доступа — 3 нс (0.003 мс).

По известной форуме T=1/f частота работы чипа f=1/T: 1/0,003 = 333 МГц.
Частота передачи данных в 2 раза выше — 667 МГц.
Соответственно, данный модуль DDR2-667.

Тайминги

Тайминги — это задержки при обращении к микросхемам памяти. Естественно, чем они меньше — тем быстрее работает модуль.

Дело в том, что микросхемы памяти на модуле имеют матричную структуру — представлены в виде ячеек матрицы с номером строки и номером столбца.
При обращении к ячейке памяти считывается вся строка, в которой находится нужная ячейка.

Сначала происходит выбор нужной строки, затем нужного столбца. На пересечении строки и номера столбца и находится нужная ячейка. С учетом огромных объемом современной RAM такие матрицы памяти не целиковые — для более быстрого доступа к ячейкам памяти они разбиты на страницы и банки.
Сначала происходит обращение к банку памяти, активизация страницы в нем, затем уже происходит работа в пределах текущей страницы: выбор строки и столбца.
Все эти действия происходит с определенно задержкой друг относительно друг друга.

Основные тайминги RAM — это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay, RCD), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency, CL), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge, RP). Тайминги измеряются в наносекундах (нс).

Эти тайминги так и идут друг за другом в порядке выполнения операций и также обозначаются схематично 5-5-5-15. В данном случае все три тайминга по 5 нс, а общий рабочий цикл — 15 нс с момента активизации строки.

Главным таймингом считается CAS latency, который часто обозначается сокращенно CL=5. Именно он в наибольшей степени «тормозит» память.

Основываясь на этой информации, вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти.

Kit of 2 что значит